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2dsemiconductors石墨烯產(chǎn)品簡(jiǎn)介

 更新時(shí)間:2022-07-26 點(diǎn)擊量:1178

2dsemiconductors石墨烯產(chǎn)品簡(jiǎn)介


羧基石墨烯

貨號(hào): BLK-CARGR


描述

羧基石墨烯

我們的設(shè)施已開發(fā)出羧基 (-COOH) 官能化石墨烯。可以通過傳統(tǒng)的機(jī)械剝離或溶液形式的旋涂沉積在各種基材上。羧基高達(dá)3%,產(chǎn)品純度99.9%。 

平均晶粒尺寸約為 1-10 微米,可懸浮在 DI、DMF 和其他極性溶劑中進(jìn)行旋涂沉積。

材料、物理、生物科學(xué)和化學(xué)應(yīng)用的理想選擇。


氟化石墨烯

貨號(hào): BLK-GRFL

描述

氟化石墨烯

我們的設(shè)施已開發(fā)出氟化石墨烯。碳氟比為 1:1,粒徑范圍為 1-15 微米。電阻率為 1E11-1E12 Ohm.cm。該產(chǎn)品是電池、潤(rùn)滑、熱管理和 2D 電子/基板應(yīng)用的理想選擇。單層可以通過機(jī)械剝離或旋涂工藝沉積到各種基材上。該產(chǎn)品附帶詳細(xì)的去角質(zhì)技術(shù)指南,可讓您提高單層生產(chǎn)率。


石墨烯泡沫鎳

SKU: BLK-Grphfoam

描述

石墨烯泡沫鎳

3D 石墨烯泡沫通過化學(xué)氣相沉積 (CVD) 工藝舒適地沉積在鎳泡沫箔上。鎳 (Ni) 泡沫是通過在高溫下進(jìn)行酸反應(yīng),然后是 4 步 CVD 石墨烯生長(zhǎng)工藝制成的。總體而言,在 C2H4 氣體與 H2 氣體反應(yīng)后,少數(shù)層和單層石墨烯沉積在 Ni 壁上。這些材料是氣體分離、催化、氣體檢測(cè)、傳感應(yīng)用的理想選擇。

Ni泡沫箔上石墨烯的拉曼光譜

 

沉積在泡沫鎳箔上的石墨烯的多孔結(jié)構(gòu)

泡沫鎳箔上的石墨烯泡沫圖像


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